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PIP-MOS管

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MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)650v 2A 5Ω管產(chǎn)品型號(hào)：PTx02N65

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：PIP高壓場(chǎng)效應(yīng)管，額定電壓650v；額定電流2A；阻值范圍4Ω~5Ω；閾值電壓（Vth）范圍2V~4V；導(dǎo)通柵極電荷量9nc；Ciss寄生電容290pF。

重點(diǎn)參數(shù)：

額定電壓(DC)	650V	寄生電容	650pF
額定電流	2A	電阻范圍	4Ω~5Ω

產(chǎn)品應(yīng)用：

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
額定電壓	650V
額定電流	2A
阻值范圍	4Ω~5Ω
閾值電壓（Vth）	2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量（og,nc）	9nc
寄生電容（Ciss）	650pF
其它型號(hào)
PSx04N65	650V_4A_（1.9~2.9）Ω_15nc_544pF
PSx04N65C	650V_4A_（2.0~2.5）Ω_17.5nc_650pF
PSx04N65B	650V_4A_（2.1~2.5）Ω_8.5nc_450pF
PTxOSN65	650V_5A_（2.0~2.5）Ω_17nc_650pF
PTx06N65C	650V_6A_（1.55~1.85）Ω_16nc_660pF
P5x07N65	650V_7A_（1.1~1.4）Ω_25nc_1050pF
PTx07N65B	650V_7A_（1.2~1.4）Ω_20nc_1120pF
PTx08N65	650V_8A_（0.95~1.3）Ω_28nc_1240pF
PTxlON65B	650V_10A_（0.75~0.9）Ω_32nc_1660pF
PSxlON65C	650V_10A_（0.7~0.85）Ω_43nc_1340pF
PTx12N65	650V_12A_（0.6~0.75）Ω_52nc_1900pF
PTxl3N65	650V_13A_（0.55~0.65）Ω_46nc_2130pF
PTx16N65	650V_16A_（0.45~0.55）Ω_54nc_2442pF
PTx20N6SA	650V_20A_（0.33~0.5）Ω_65nc_2600pF
PTx26N65	650V_26A_（0.28~0.38）Ω_78nc_4200pF
PTW34N65	650V_34A_（0.13~0.19）Ω_150nc_7400pF
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注解：例如，200V_9A_（0.3~0.25）Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS額定電壓；

2、9A為MOS額定電流；

3、（0.3~0.25）Ω為MOS阻值范圍；

4、16nc為MOS柵極電荷Qg；

5、670pF為Ciss寄生電容；

封裝類型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247

產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，涵蓋電子類多個(gè)領(lǐng)域，如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車等；

相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容，最大限度降低開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻，作為開關(guān)電源的主開關(guān)MOS，以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，是指MOS開關(guān)完全打開，Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià)：MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)650v 2A 5Ω管